[发明专利]非易失性存储器件的编程方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器件的编程方法，所述非易失性存储器件包括具有位于漏极选择线和源极选择线之间的多个字线的存储单元阵列，所述编程方法包括以下步骤：

将编程电压施加给选中的字线；

将第一通过电压施加给与所述选中的字线相邻的至少一个字线；

将比所述第一通过电压低但比隔离电压高的至少一个第一中间电压施加给与接收所述第一通过电压的字线相邻的至少一个字线；

将所述隔离电压施加给与接收所述第一中间电压的字线相邻的字线；

将比所述隔离电压高但比第二通过电压低的至少一个第二中间电压施加给与接收所述隔离电压的字线相邻的至少一个字线；以及

将所述第二通过电压施加给与接收所述第二中间电压的字线相邻的至少一个字线。

2.如权利要求1所述的编程方法，其中，所述第一中间电压和所述第二中间电压彼此相同。

3.如权利要求1所述的编程方法，其中，接收所述至少一个第一中间电压的所述至少一个字线包括至少两个字线，

所述至少一个第一中间电压包括多个第一中间电压，并且

将所述第一中间电压中的较低电压施加给所述至少两个字线中的与接收所述隔离电压的字线较近的一个，将所述第一中间电压中的较高电压施加给所述至少两个字线中的与接收所述隔离电压的字线较远的一个。

4.如权利要求3所述的编程方法，其中，接收所述至少一个第二中间电压的所述至少一个字线包括至少两个字线，

所述至少一个第二中间电压包括多个第二中间电压，并且

将所述第二中间电压中的较低电压施加给所述至少两个字线中的与接收所述隔离电压的字线较近的一个，将所述第二中间电压中的较高电压施加给所述至少两个字线中的与接收所述隔离电压的字线较远的字线。

5.如权利要求4所述的编程方法，其中，接收所述至少一个第一中间电压的至少一个字线的数目等于接收所述至少一个第二中间电压的至少一个字线的数目，并且

施加给接收所述至少一个第一中间电压的至少一个字线中的第一个的所述第一中间电压中的第一个与施加给接收所述至少一个第二中间电压的至少一个字线中的第一个的所述第二中间电压中的第一个相同，并且接收所述至少一个第一中间电压的至少一个字线中的第一个与接收所述至少一个第二中间电压的至少一个字线中的第一个关于接收所述隔离电压的字线对称地设置。

6.如权利要求1所述的编程方法，其中，随着所述选中的字线变得更靠近所述漏极选择线，施加的所述隔离电压变大。

7.如权利要求1所述的编程方法，其中，随着所述多个字线的数目变大，施加的所述隔离电压变大。

8.一种非易失性存储器件的编程方法，所述非易失性存储器件包括多个单元串，每个所述单元串具有串联耦合在漏极选择晶体管和源极选择晶体管之间的多个存储单元，所述编程方法包括以下步骤：

将编程电压施加给第一单元串的存储单元的控制栅；

将第一通过电压施加给与接收所述编程电压的存储单元相邻的至少一个存储单元的控制栅，其中，所述第一通过电压将与接收所述编程电压的存储单元相邻的至少一个存储单元导通；

将比所述第一通过电压低但是比隔离电压高的至少一个第一中间电压施加给与接收所述第一通过电压的存储单元相邻的至少一个存储单元的控制栅；

将所述隔离电压施加给与接收所述第一中间电压的存储单元相邻的至少一个存储单元的控制栅，其中，所述隔离电压将与接收所述第一中间电压的存储单元相邻的至少一个存储单元关断；

将比所述隔离电压高但是比第二通过电压低的至少一个第二中间电压施加给与接收所述隔离电压的存储单元相邻的至少一个存储单元的控制栅；以及

将所述第二通过电压施加给与接收所述第二中间电压的存储单元相邻的至少一个存储单元的控制栅。

9.如权利要求8所述的编程方法，其中，所述第一单元串包括编程禁止单元串。

10.如权利要求8所述的编程方法，其中，所述第一中间电压和所述第二中间电压彼此相等。