[发明专利]检测读取操作对临近单元干扰的方法有效
| 申请号： | 201110391394.4 | 申请日： | 2011-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN102436850A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 陈巍巍;陈岚;龙爽;杨诗洋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供的检测读取操作对临近单元干扰的方法，同时选通多根连续位线，在读取存储单元的信息的同时，测量与被读取存储单元施加较高电压的位线相邻的至少一根位线的电压，计算流过与所述被读取存储单元临近的存储单元的泄露电流，通过比较泄露电流与预设电流值，可以检测与被读取存储单元临近的存储单元在读取操作时是否受到干扰。另外，本发明提供的检测读取操作对临近单元干扰的方法，通过判断泄露电流的大小，可以检测被读取存储单元的读取精度是否受到干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 读取 作对 临近 单元 干扰 方法 | ||
【主权项】：
一种检测读取操作对临近单元干扰的方法，其特征在于，包括：选通被读取存储单元的字线；选通存储阵列的多根连续位线，其中在所述被读取存储单元的一根位线施加第一读取电压，另一根位线施加第二读取电压，第二读取电压高于第一读取电压；测量与所述被读取存储单元施加第二读取电压的位线相邻的至少一根位线的电压；计算流过与所述至少一根位线连接的存储单元的泄露电流；判断所述泄露电流是否大于预设电流值，如果是，与被读取存储单元临近的存储单元受到读取操作的干扰；如果否，与被读取存储单元临近的存储单元不受读取操作的干扰。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110391394.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
