[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201110391090.8 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102815658A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 邱义勋;简廷颖;苏钦豪;倪其聪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路制造，而更具体地涉及的是带有金属合金的半导体器件。用于器件的示例性结构包括第一硅衬底；第二硅衬底；以及连接第一硅衬底和第二硅衬底中的每个的触点，其中，该触点包括与第一硅衬底邻近的Ge层、与第二硅衬底邻近的Cu层以及处在Ge层和Cu层之间的金属合金。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一硅衬底；第二硅衬底；以及触点，连接所述第一硅衬底和第二硅衬底中的每个，其中，所述触点包括与所述第一硅衬底邻近的Ge层、与所述第二硅衬底邻近的Cu层以及处在所述Ge层和Cu层之间的金属合金。
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