[发明专利]一种可控硅器件有效
| 申请号： | 201110388698.5 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102437174A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 何军 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/74 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种可控硅器件，包括P型衬底，P型衬底上设有紧密相连的N阱与P阱，其中，该N阱包含多个第一P+注入区及一第一N+注入区，除与该P阱相邻的一侧，每个第一P+注入区均被该第一N+注入区包围；该P阱包含多个第二N+注入区及一第二P+注入区，除与该N阱相邻的一侧，每个第二N+注入区均被该第二P+注入区包围，本发明通过将N阱的P+注入区及P阱的N+注入区分割成小块，用N阱或P阱的引出脚将其围起来，以减小N阱与P阱的电阻，从而增加可控硅的保持电流，进而增强其闩锁防护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 可控硅 器件 | ||
【主权项】：
一种可控硅器件，包括P型衬底，P型衬底上设有紧密相连的N阱与P阱，其特征在于：该N阱包含多个第一P+注入区及一第一N+注入区，除与该P阱相邻的一侧，每个第一P+注入区均被该第一N+注入区包围；该P阱包含多个第二N+注入区及一第二P+注入区，除与该N阱相邻的一侧，每个第二N+注入区均被该第二P+注入区包围。
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