[发明专利]设备去除率监测方法有效
| 申请号： | 201110388530.4 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102420155A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 王百钱;奚斐 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其是一种设备去除率监测方法，通过预定时间内晶圆上的待去除层的厚度去除量除以所述预定时间，得到所述去除率，其中：所述晶圆为生产晶圆，所述生产晶圆包括衬底，位于衬底上的停止层，形成在停止层上的待去除层。本发明具有以下优点：第一，不需要额外准备去除率监测晶圆，能够节约成本；第二，能够在晶圆生产过程中进行实时监测；第三，延长设备正常生产时间；第四，增加去除率异常的检出率，提高监测敏感性，及早地发现去除率异常情况。 | ||
| 搜索关键词： | 设备 去除 监测 方法 | ||
【主权项】：
一种设备去除率监测方法，通过预定时间内晶圆上的待去除层的厚度去除量除以所述预定时间，得到所述去除率，其特征在于：所述晶圆为生产晶圆，所述生产晶圆包括衬底，位于衬底上的停止层，形成在停止层上的待去除层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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