[发明专利]设备去除率监测方法

权利要求书

1.一种设备去除率监测方法，通过预定时间内晶圆上的待去除层的厚度去除量除以所述预定时间，得到所述去除率，其特征在于：所述晶圆为生产晶圆，所述生产晶圆包括衬底，位于衬底上的停止层，形成在停止层上的待去除层。

2.如权利要求1所述的设备去除率监测方法，其特征在于：所述待去除层为待蚀刻层，所述待蚀刻层上形成有图案化的掩膜层。

3.如权利要求2所述的设备去除率监测方法，其特征在于：首先测量待蚀刻层的厚度PRE；然后采用干法蚀刻设备对所述图案化的掩膜层暴露的待蚀刻层进行蚀刻，同时并采用终点侦测设备监测蚀刻过程，并使得对待蚀刻层的蚀刻过程停止在停止层上；收集蚀刻过程进行的时间T_EPD，并计算去除率ER＝PRE/T_EPD。

4.如权利要求2所述的设备去除率监测方法，其特征在于：首先测量待蚀刻层的厚度PRE；然后采用蚀刻设备对所述图案化的掩膜层暴露的待蚀刻层进行蚀刻，仅对部分厚度待蚀刻层进行蚀刻，蚀刻停止于待蚀刻层本身；同时采用高级过程控制设备监测蚀刻过程并得到蚀刻过程进行的时间T_EPD；测量此时被暴露的待蚀刻层的剩余厚度POS，并计算去除率ER＝(PRE-POS)/T_EPD。

5.如权利要求2所述的设备去除率监测方法，其特征在于：所述待蚀刻层由两个以上单层复合叠加形成，独立计算每个单层的去除率。

6.如权利要求5所述的设备去除率监测方法，其特征在于：蚀刻前首先测量待蚀刻层中各个单层的厚度PRE₁、PRE₂......PRE_n；然后采用干法蚀刻设备对所述图案化的掩膜层暴露的各个单层依次进行蚀刻，同时并采用终点侦测设备监测蚀刻过程，并使得对待蚀刻层的蚀刻过程停止在停止层上；从终点侦测设备中收集各个单层的蚀刻时间T_EPD1、T_EPD2......T_EPDn，并计算各单层的去除率：

ER₁＝PRE₁/T_EPD1；

ER₂＝PRE₂/T_EPD2；

......

ER_n＝PRE_n/T_EPDn。

7.如权利要求5所述的设备去除率监测方法，其特征在于：蚀刻前首先测量待蚀刻层中各个单层的厚度PRE₁、PRE₂......PRE_n；然后采用干法蚀刻设备对所述图案化的掩膜层暴露的各个单层依次进行蚀刻，同时并采用终点侦测设备以及高级过程控制设备监测蚀刻过程，并使得对待蚀刻层的蚀刻过程停止在最接近停止层的单层本身；从终点侦测设备以及高级过程控制设备中收集各个单层的蚀刻时间T_EPD1、T_EPD2......T_EPDn，测量此时被暴露的最接近停止层的单层的剩余厚度POS_n，并计算各单层的去除率：

ER₁＝PRE₁/T_EPD1；

ER₂＝PRE₂/T_EPD2；

......

ER_n＝(PRE_n-POS_n)/T_EPDn。

8.如权利要求2所述的设备去除率监测方法，其特征在于：所述待去除层为待研磨层。

9.如权利要求8所述的设备去除率监测方法，其特征在于：首先测量待研磨层的厚度PRE；然后采用研磨设备对待研磨层进行研磨，同时采用终点侦测设备监测研磨过程，并使得对待研磨层的研磨过程停止在停止层上；收集研磨过程进行的时间T_EPD，并计算去除率ER＝PRE/T_EPD。