[发明专利]湿法刻蚀清洗设备以及湿法刻蚀清洗方法在审
| 申请号： | 201110388453.2 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102496560A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 张凌越;郭国超;王强;杨勇;张瑞明 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23F1/08 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种湿法刻蚀清洗设备以及湿法刻蚀清洗方法。根据本发明的湿法刻蚀清洗设备包括化学品槽液体分流板，所述化学品槽液体分流板包括第一封闭区R、第二封闭区S以及孔布置区，所述孔布置区上布置有多个孔，其特征在于，在化学品槽液体分流板的孔布置区中，在每两个晶片放置位置之间布置一排孔，每排孔的数量不小于8个。本发明通过优化化学品槽液体分流板的设计来改善被刻蚀层的湿法蚀刻过程中的片间均匀性、片内均匀性以及钻蚀问题。 | ||
| 搜索关键词： | 湿法 刻蚀 清洗 设备 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种湿法刻蚀清洗设备，其包括化学品槽液体分流板，所述化学品槽液体分流板包括第一封闭区R、第二封闭区S以及孔布置区，所述孔布置区上布置有多个孔，其特征在于，在化学品槽液体分流板的孔布置区中，在每两个晶片放置位置之间布置一排孔，每排孔的数量不小于8个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
