[发明专利]一种大气中氙的低温富集取样方法和装置有效
申请号: | 201110384244.0 | 申请日: | 2011-11-28 |
公开(公告)号: | CN102508285A | 公开(公告)日: | 2012-06-20 |
发明(设计)人: | 武山;张昌云;陈莉云;王亚龙;刘龙波;万可友 | 申请(专利权)人: | 西北核技术研究所 |
主分类号: | G01T7/02 | 分类号: | G01T7/02 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 王少文 |
地址: | 71002*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种大气中氙的低温富集取样方法和装置,其在低温条件下将空气中的氙富集,共使用4级吸附柱实现氙的富集浓缩并同时去除其它杂质,吸附剂仅使用活性炭一种,降低了方法的复杂性和实现难度,没有时间空窗;能连续取样,结构简单,方法简便,取样量大。 | ||
搜索关键词: | 一种 大气 低温 富集 取样 方法 装置 | ||
【主权项】:
一种大气中氙的低温富集取样方法,其特征在于:包括以下步骤:1】低温吸附高温脱附:采用第一级活性炭吸附脱附单元在低温下浓缩空气中的氙并去除其它杂质,吸附温度为‑70~‑40℃,脱附温度为50~200℃;2】三级常温吸附高温脱附:采用三只级联的活性炭吸附脱附单元在常温下逐级浓缩空气中的氙并去除其它杂质,吸附温度为10~30℃,脱附温度为50~200℃;3】样品收集:最后一级吸附柱脱附出来的氙经隔膜增压至样品瓶,完成收集。
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