[发明专利]一种大气中氙的低温富集取样方法和装置

权利要求书

1.一种大气中氙的低温富集取样方法，其特征在于：包括以下步骤：

1】低温吸附高温脱附：

采用第一级活性炭吸附脱附单元在低温下浓缩空气中的氙并去除其它杂质，吸附温度为-70～-40℃，脱附温度为50～200℃；

2】三级常温吸附高温脱附：

采用三只级联的活性炭吸附脱附单元在常温下逐级浓缩空气中的氙并去除其它杂质，吸附温度为10～30℃，脱附温度为50～200℃；

3】样品收集：

最后一级吸附柱脱附出来的氙经隔膜增压至样品瓶，完成收集。

2.根据权利要求1所述的大气中氙的常温富集取样方法，其特征在于：在富集浓缩取样前先对各级吸附柱内装填的活性炭吸附剂进行加热活化。

3.根据权利要求1或2所述的大气中氙的常温富集取样方法，其特征在于：所述第一级吸附脱附单元为两套并联的活性炭吸附柱，所述两套并联的活性炭吸附柱通过阀门实现交替吸附和脱附。

4.一种大气中氙的低温富集取样装置，包括压缩空气源、四级级联工作的吸附脱附单元、样品收集瓶、载气源、真空泵，所述每级吸附脱附单元包括活性炭吸附柱及设置在活性炭吸附柱外围的吸附柱加热装置，所述压缩空气源与第一级吸附脱附单元的进气端管道连接，所述最后一级吸附脱附单元的出气端经过隔膜增压泵与样品收集瓶管道连接，所述载气源通过管道和阀门与四级吸附脱附单元的进气端连接，所述真空泵通过真空管道和阀门与四级吸附脱附单元的出气端连接，其特征在于，所述压缩空气源与第一级吸附脱附单元之间设置有气体冷却器；所述第一级吸附脱附单元包括两只并联且交替吸附脱附的活性炭吸附柱。

5.根据权利要求4所述的大气中氙的低温富集取样装置，其特征在于：所述活性炭为14～25目椰壳活性炭；所述载气源的载气为氮气或氦气。