[发明专利]闪烁器层及其施加的准备方法、X光检测器及其制造方法无效
申请号: | 201110383805.5 | 申请日: | 2011-11-28 |
公开(公告)号: | CN102709343A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | M.福克斯;K.洛瓦克;A.普雷斯勒 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 谢强 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及用于施加在光传感器层(4)上的闪烁器层(1)、使用根据本发明预先准备的闪烁器层(1)所制造的用于离子辐射的成像显示的X光检测器或X光检测器元件、用于施加在光传感器层(4)上的这样的闪烁器层(1)的预先准备方法、以及用于离子辐射的成像显示的X光检测器或X光检测器元件的制造方法。根据本发明,通过在闪烁器层(1)的生产中在该闪烁器层(1)上涂敷带有保护层(3)的粘合剂层(2),从而改进制造过程。这可以逐层进行,为此也可使用已包含作为保护薄膜的所述保护层(3)的传递粘性带(3,2,8)。 | ||
搜索关键词: | 闪烁 及其 施加 准备 方法 检测器 制造 | ||
【主权项】:
一种闪烁器层(1),所述闪烁器层(1)被预先准备以施加在光传感器层(4)上,以便使用在用于离子辐射的成像显示的检测器内,其中,该闪烁器层(1)在至少一个侧上具有粘合剂层(2),在所述粘合剂层(2)上向外施加了可揭去的保护层(3),所述保护层(3)在将该闪烁器层(1)与光传感器层(4)粘合前才被去除。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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