[发明专利]硅片通孔等效电路模型及模型参数提取方法有效
| 申请号： | 201110383514.6 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102411659A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 周天舒;蔡描 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片通孔等效电路模型，包括第一网络支路和一条以上第二网络支路，第一网络支路由相邻硅片通孔间的耦合电阻和耦合电容并联组成；第二网络支路相互并联，数目由硅片通孔阵列数决定，每条第二网络支路包括硅片通孔的金属串联电阻、金属串联电感和一条次级网络支路，次级网络支路包括趋肤电阻、趋肤电感和邻近电阻，各第二网络支路中对应的等效电路元件的数值相同，且各金属串联电感之间具有互感关系。本发明还公开上述模型的参数提取方法。本发明基于硅片通孔的物理结构和实现工艺设计硅片通孔的等效电路模型，从而克服了现有硅片通孔等效电路模型过于简单的缺陷，提高了模型对器件电学特性的拟合效果。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 等效电路 模型 参数 提取 方法 | ||
【主权项】：
硅片通孔等效电路模型，其特征在于，包括第一网络支路和一条以上第二网络支路；其中，第一网络支路包括相邻硅片通孔间的耦合电阻和耦合电容；所述耦合电阻和耦合电容并联；第二网络支路相互并联，数目由硅片通孔的阵列数决定；每条第二网络支路包括硅片通孔的金属串联电阻、金属串联电感和一条次级网络支路；次级网络支路由趋肤电阻和趋肤电感串联后再与邻近电阻并联构成，用于描述金属串联电感的高频趋肤效应和邻近效应；各条第二网络支路中对应的等效电路元件数值相同，且各金属串联电感之间具有互感关系。
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