[发明专利]硅片通孔等效电路模型及模型参数提取方法

权利要求书

1.硅片通孔等效电路模型，其特征在于，包括第一网络支路和一条以上第二网络支路；其中，

第一网络支路包括相邻硅片通孔间的耦合电阻和耦合电容；所述耦合电阻和耦合电容并联；

第二网络支路相互并联，数目由硅片通孔的阵列数决定；每条第二网络支路包括硅片通孔的金属串联电阻、金属串联电感和一条次级网络支路；次级网络支路由趋肤电阻和趋肤电感串联后再与邻近电阻并联构成，用于描述金属串联电感的高频趋肤效应和邻近效应；各条第二网络支路中对应的等效电路元件数值相同，且各金属串联电感之间具有互感关系。

2.权利要求1所述硅片通孔等效电路模型的模型参数提取方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)对硅片通孔进行射频测试，扫描一组频率F，得到不同频率点上的高频阻抗参数；

2)根据硅片通孔的孔径尺寸、贯穿的硅衬底的厚度以及硅片通孔内填充的金属的电阻率，用计算和仿真方法得到金属串联电阻和金属串联电感的数值；

3)将耦合电阻和耦合电容的值设为经验值；

4)取所述高频阻抗参数的实部，得到所述实部随所述频率变化的数据曲线；不断调整邻近电阻的数值，使仿真结果不断拟合该数据曲线的低频段部分，确定模型中邻近电阻的数值；不断调整趋肤电阻的数值，使仿真结果不断拟合该数据曲线的高频段部分，确定模型中趋肤电阻的数值；

5)取所述高频阻抗参数的虚部I，计算得到随频率F变化的数据曲线；不断调整金属串联电感之间的互感系数的数值，使仿真结果不断拟合该数据曲线的低频段部分，确定模型中互感系数的数值；不断调整趋肤电感的数值，使仿真结果不断拟合该数据曲线的高频段部分，确定模型中趋肤电感的数值。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤1)，所述频率F的取值范围为0.01～100GHz。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤3)，耦合电阻的值设为10e3欧姆，耦合电容的值设为10e-15法拉。