[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201110383462.2 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103137545A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/525 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体器件形成方法，包括：提供基底；所述基底表面依次形成有第一绝缘层、层间介质层以及至少两个贯穿所述层间介质层和第一绝缘层厚度的沟槽；向所述沟槽内填充导电材料形成金属线层；采用金属的自对准形成工艺形成覆盖所述金属线层的第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖部分靠近金属线层的层间介质层；以所述第一掩膜层为掩膜去除所述层间介质层和第一绝缘层，形成开口；去除所述第一掩膜层，形成覆盖所述金属线层和层间介质层，并横跨所述开口的第二绝缘层。采用本发明实施例形成的半导体器件具有较大的空气间隙，降低了互连结构中的K值，降低了RC效应，提高了半导体集成电路的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件形成方法，包括：提供基底，所述基底表面形成有第一绝缘层，所述第一绝缘层表面形成有层间介质层，以及至少两个贯穿所述层间介质层和第一绝缘层厚度的沟槽；向所述沟槽内填充导电材料形成金属线层；其特征在于，还包括：采用金属的自对准形成工艺形成覆盖所述金属线层的第一掩膜层，所述第一掩膜层覆盖部分靠近金属线层的层间介质层；以所述第一掩膜层为掩膜去除所述层间介质层和第一绝缘层，形成开口，所述开口包括贯穿所述层间介质层厚度的第一子开口和位于所述第一子开口底部的第二子开口，所述第一子开口的口径小于所述第二子开口的口径；去除所述第一掩膜层，形成覆盖所述金属线层和层间介质层，并横跨所述开口的第二绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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