[发明专利]一种提高硅电容压力传感器过载响应速度的方法无效
| 申请号： | 201110382730.9 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102445298A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 李颖;张治国;庞士信;刘沁;张娜;刘剑;周磊 | 申请（专利权）人： | 沈阳仪表科学研究院 |
| 主分类号： | G01L9/12 | 分类号： | G01L9/12;G01L1/14 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 崔红梅 |
| 地址： | 110179 辽宁省沈*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提高硅电容压力传感器响应速度的方法，采用静电封接工艺将电容三极板封接成三明治结构，极板之间充灌有硅油介质，其特征在于可动极板的中心岛上，采用MEMS加工技术制作线型导油槽结构，导油槽的长度长于固定极板上金属电极的外轮廓线，使过载后导油通道不能被上、下固定极板上的金属电极完全贴死，形成畅通的导油通道，从而显著提高了过载后极板之间的回弹力，提高了对压力的响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 电容 压力传感器 过载 响应 速度 方法 | ||
【主权项】：
一种提高硅电容压力传感器过载响应速度的方法，是采用静电封接工艺将玻璃固定上极板、硅敏感芯片的可动的硅中心极板、玻璃固定下极板封接成电容三极板结构，其特征在于采用MEMS加工技术，在电容传感器硅可动极板中心岛上、下面分别制作导油槽结构，上、下玻璃固定极板中心表面有采用溅射工艺制作的和线型导油槽结构相匹配的几何形状的金属电极，且玻璃固定极板中心有导压引出电极孔，当可动极板过压后和固定极板电极贴合时，导油槽结构仍保持导油通道畅通，从而有效地减小芯片中心岛过压贴合后的回弹阻尼，提高电容传感器过载后对压力的响应速度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳仪表科学研究院，未经沈阳仪表科学研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110382730.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
