[发明专利]降低磷化锗锌晶体吸收系数的方法有效
申请号: | 201110381838.6 | 申请日: | 2011-11-25 |
公开(公告)号: | CN102433590A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 杨春晖;雷作涛;夏士兴;孙亮;徐超;朱崇强 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C30B33/10 | 分类号: | C30B33/10;C30B33/04;C30B33/02 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 韩末洙 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 降低磷化锗锌晶体吸收系数的方法,它属于磷化锗锌晶体改性领域。本发明解决了现有生长态磷化锗锌晶体在在1.99~2.09μm处吸收系数还在0.10cm-1以上,而难于实现中远红外高功率激光输出的技术问题。方法如下:一、用混酸对磷化锗锌晶体刻蚀,然后用高纯去离子水冲洗干净,再吹干,然后放入石英管内,再抽真空后进行封装;二、退火;三、进行γ射线或电子辐照;即完成了降低磷化锗锌晶体吸收系数。经本发明方法处理后磷化锗锌晶体在1.99~2.09μm处吸收系数在0.02cm-1以下,满足高功率光参量激光器使用要求。 | ||
搜索关键词: | 降低 磷化 晶体 吸收系数 方法 | ||
【主权项】:
降低磷化锗锌晶体吸收系数的方法,其特征在于降低磷化锗锌晶体吸收系数的方法是按下述步骤进行的:步骤一、用混酸对磷化锗锌晶体刻蚀1~5min,混酸是浓盐酸和浓硝酸按1∶(1~3)体积比混合而成的,然后用一级去离子水冲洗干净,再吹干,然后放入石英管内,再抽真空至真空度10‑4Pa以上进行封装;步骤二、然后以10~60℃/h速率升温至500~700℃,保温退火200~400h,再以10~60℃/h速率降温室温;步骤三、对经步骤二处理的磷化锗锌晶体进行辐照,其中辐照能量为1~15MeV,辐照总剂量为1.0×1014~1.0×1018cm‑2,辐照为γ射线辐照或电子辐照;即完成了降低磷化锗锌晶体吸收系数。
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