[发明专利]一种像素不均匀布置的图像传感器无效
申请号: | 201110381604.1 | 申请日: | 2011-11-12 |
公开(公告)号: | CN102437168A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 袁毅 | 申请(专利权)人: | 袁毅 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 409600 重庆*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 一种像素不均匀布置的图像传感器,由半导体基片、像素组成,像素非均匀地布置在半导体基片上,采用距离传感器像素几何中心越远,像素之间的距离就越远的方式,更具体一点就是保证单位角度的环境光线投影在传感器上的任何位置所占用的像素的个数大致相等,采用了本发明的方案,所拍图片的任意位置的分辨率都一样,拼接的全景图片不再错位。 | ||
搜索关键词: | 一种 像素 不均匀 布置 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种像素不均匀布置的图像传感器,由半导体基片(1)、像素(2)组成,其特征是:像素(2)非均匀地布置在半导体基片(1)上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的