[发明专利]CMOS图像传感器无效
申请号: | 201110379653.1 | 申请日: | 2011-11-24 |
公开(公告)号: | CN102394239A | 公开(公告)日: | 2012-03-28 |
发明(设计)人: | 饶金华;巨晓华;张克云 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供3T、4T式CMOS图像传感器。3T式CMOS图像传感器的像素单元包括:光电转换元件;用于执行复位功能且分别位于光电转换元件两侧的第一、第二复位晶体管;用于检测光电转换元件产生的电信号的浮置扩散区;与浮置扩散区连接以将检测到的电信号进行放大的源跟随晶体管;用于执行寻址功能并读取像素单元输出信号的选择晶体管。4T式CMOS图像传感器在3T式CMOS图像传感器的基础上还包括用于将光电转换元件内部电荷转移至浮置扩散区的传输晶体管。本发明通过增设一复位晶体管,能保证光电转换元件内部残余电荷能被完全清除,解决了现有技术中光电转换元件内部残余电荷无法完全清除的问题,从而能获得较好的图像处理效果。 | ||
搜索关键词: | cmos 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种CMOS图像传感器,其特征在于,包括若干像素单元,至少一个所述像素单元包括:用于将光信号转化为电信号的光电转换元件;用于执行复位功能且分别位于所述光电转换元件两侧的第一复位晶体管、第二复位晶体管;用于检测所述光电转换元件产生的电信号的浮置扩散区;与所述浮置扩散区连接以将检测到的所述电信号进行放大的源跟随晶体管;用于执行寻址功能并读取像素单元输出信号的选择晶体管;所述光电转换元件的阴极与所述第一复位晶体管的源极、第二复位晶体管的源极连接;所述第一复位晶体管的源极与所述源跟随晶体管的栅极连接;所述源跟随晶体管的源极与所述选择晶体管的漏极连接;所述选择晶体管的源极作为像素单元输出信号的输出端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的