[发明专利]一种制备硅太阳能电池的磷扩散方法

摘要

本发明公开了一种制备硅太阳能电池的磷扩散方法，包括如下步骤：(1)将待处理硅片放于扩散炉中，升温至780~810℃；(2)升温至810~870℃，待温度稳定后，同时通入携磷源氮气和干氧进行恒定源扩散，携磷源氮气的流量为1~1.7L/min，干氧流量为0.4~0.7L/min；磷源为三氯氧磷，源温恒定在12~20℃，使硅片表面的磷杂质表面浓度为1.0e+21~1.3e+21cm-3；(3)保持扩散炉温度和干氧流量不变，停止通入携磷源氮气，进行有氧限定源扩散；(4)降温，出舟完成扩散过程。本发明的磷扩散方法降低了硅片表面的磷杂质表面浓度，降低了表面少子复合率，提高光电转换效率；相比现有的磷扩散工艺，采用本发明的方法获得的太阳能电池的光电转换效率约有0.1%的绝对值提升，具有意想不到的技术效果。

主权项

一种制备硅太阳能电池的磷扩散方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 将待处理硅片放于扩散炉中，升温至780~810℃，炉内环境为氮气气氛，氮气流量10~20 L/min；(2) 升温至810~870℃，待温度稳定后，同时通入携磷源氮气和干氧进行恒定源扩散，扩散时间为15~25 min，所述携磷源氮气的流量为1~1.7 L/min，干氧的流量为0.4~0.7 L/min；所述磷源为三氯氧磷，源温恒定在12~20℃，使硅片表面的磷杂质表面浓度为1.0e+21~1.3e+21 cm‑3；(3) 保持扩散炉温度和干氧流量不变，停止通入携磷源氮气，进行有氧限定源扩散，扩散时间10~20 min；(4) 降温至780~810℃，出舟，完成扩散过程。