[发明专利]基片级声表面波器件的频率修正方法无效
| 申请号： | 201110378437.5 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102412802A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 李磊;李燕;唐代华;张华;段伟;赵建国 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | H03H3/04 | 分类号： | H03H3/04 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基片级声表面波器件的频率修正方法，采用分段操作多次腐蚀浸泡的方法，通过减薄金属膜厚度和减细指条宽度来提高器件频率，使其达到合格范围，本发明的优点在于：本发明通过较为均匀地减薄金属膜厚度和减细金属叉指换能器宽度来提高器件频率，使基片内器件频率稳定均匀的提高，从而达到合格范围，是一种稳定可靠的基片级声表面波器件的频率修正方法，本方法对其他电性能指标影响较小，插损、波形等其他指标则变化不大，不引入新的不合格因素，基片内的频率一致性在操作前后变化不大，有效提升前工序的合格率和生产效率，修正幅度约在器件中心频率的0.5%之内。 | ||
| 搜索关键词： | 基片级声 表面波 器件 频率 修正 方法 | ||
【主权项】：
基片级声表面波器件的频率修正方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：在基片表面上制作金属膜；S2：利用腐蚀液通过腐蚀法来减薄金属膜厚度；S3：检测基片的电性能指标；S4：判断基片的电性能指标是否合格；S5：如果基片的电性能指标不合格，则返回步骤S2；S6：如果基片的电性能指标合格，则结束腐蚀。
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