[发明专利]基片级声表面波器件的频率修正方法无效
| 申请号： | 201110378437.5 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102412802A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 李磊;李燕;唐代华;张华;段伟;赵建国 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | H03H3/04 | 分类号： | H03H3/04 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基片级声 表面波 器件 频率 修正 方法 | ||
1. 基片级声表面波器件的频率修正方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：在基片表面上制作金属膜；
S2：利用腐蚀液通过腐蚀法来减薄金属膜厚度；
S3：检测基片的电性能指标；
S4：判断基片的电性能指标是否合格；
S5：如果基片的电性能指标不合格，则返回步骤S2；
S6：如果基片的电性能指标合格，则结束腐蚀。
2. 根据权利要求1所述的基片级声表面波器件的频率修正方法，其特征在于：所述腐蚀液为显影液，所述显影液为通过添加纯水进行稀释，其稀释比例（体积比）控制在1：1～1：10之间。
3. 根据权利要求2所述的基片级声表面波器件的频率修正方法，其特征在于：所述稀释后的显影液置放于空气中，待其中气体成分挥发完毕后，再行使用。
4. 根据权利要求3所述的基片级声表面波器件的频率修正方法，其特征在于：所述基片腐蚀浸泡时间控制在0～10分钟内。
5. 根据权利要求4所述的基片级声表面波器件的频率修正方法，其特征在于：所述步骤S1中在基片表面上还包括制作金属插指换能器。
6. 根据权利要求5所述的基片级声表面波器件的频率修正方法，其特征在于：所述步骤S2中还包括利用腐蚀液通过腐蚀法来减细金属插指换能器的宽度。
7. 根据权利要求6所述的基片级声表面波器件的频率修正方法，其特征在于：所述金属材料采用铝材料。
8. 根据权利要求1所述的基片级声表面波器件的频率修正方法，其特征在于：所述腐蚀液为采用HF-HNO3溶液、KOH溶液或TMAH四甲基氢氧化铵溶液。
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