[发明专利]包括场效应晶体管的集成电路

摘要

本发明涉及包括场效应晶体管的集成电路。集成电路包括半导体载体，半导体载体包括第一侧和与第一侧相对的第二侧。FET在半导体载体的第一区域中，并且具有电耦合到在第一侧的漏极接触区域的漏极以及电耦合到在第二侧的源极接触区域的源极。第一电路元件在半导体载体的第二区域中。第二区域经由沟槽绝缘与包围第二区域的半导体载体电绝缘，该沟渠绝缘从第一侧通过半导体载体延伸到第二侧。互连层级电互连在第二侧的第一电路元件，并且经由在第二侧的绝缘层与整个第二区域中的源极接触区域电绝缘。传导路径从第一侧通过半导体载体延伸到第二侧，并且与包围传导路径的半导体载体电绝缘。至少一个第一电路元件经由传导路径电耦合到在第一侧的接触区域。

主权项

一种集成电路，包括：半导体载体，包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；在所述半导体载体的第一区域中的场效应晶体管，所述场效应晶体管的漏极电耦合到在所述第一侧的漏极接触区域并且所述场效应晶体管的源极电耦合到在所述第二侧的源极接触区域；在所述半导体载体的第二区域中的第一电路元件，所述第二区域经由沟渠绝缘与包围所述第二区域的所述半导体载体电绝缘，所述沟渠绝缘从所述第一侧延伸到所述第二侧；互连层级，电互连在所述第二侧的所述第一电路元件，所述互连层级经由绝缘层与整个第二区域中的所述源极接触区域电绝缘；以及传导路径，从所述第一侧通过所述半导体载体延伸到所述第二侧，所述传导路径与包围所述传导路径的所述半导体载体电绝缘；并且其中，至少一个所述第一电路元件经由沟渠接触而电耦合到在所述第一侧的接触区域。