[发明专利]一种锗硅异质结双极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201110377060.1 | 申请日： | 2011-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN103137676A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 胡君;石晶;钱文生;刘冬华;段文婷;陈帆;邱慈云 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，包括：P型衬底中形成有匹配层，膺埋层和集电区形成于匹配层上方，场氧区形成于膺埋层和部分集电区的上方，膺埋层和场氧区位于集电区两侧；氧化硅层形成于场氧区上方，多晶硅层形成于氧化硅层上方，基区形成于集电区和多晶硅层上方；氧化硅介质层形成于基区上方，氮化硅介质层形成于氧化硅介质层上方，发射区形成于基区和氮化硅介质层上方，隔离侧墙形成于氧化硅介质层、氮化硅介质层和发射区的两侧；膺埋层通过深接触孔引出，深接触孔中具有钛层或氮化钛层，填有金属钨。本发明还公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法。本发明的锗硅异质结双极晶体管能提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 锗硅异质结 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种锗硅异质结双极晶体管，其特征是，包括：P型衬底中形成有匹配层，膺埋层和集电区形成于匹配层上方，场氧区形成于膺埋层和部分集电区的上方，膺埋层和场氧区位于集电区两侧；氧化硅层形成于场氧区上方，多晶硅层形成于氧化硅层上方，基区形成于集电区和多晶硅层上方；氧化硅介质层形成于基区上方，氮化硅介质层形成于氧化硅介质层上方，发射区形成于基区和氮化硅介质层上方，隔离侧墙形成于氧化硅介质层、氮化硅介质层和发射区的两侧；膺埋层通过深接触孔引出，深接触孔中具有钛层或氮化钛层，填有金属钨。
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