[发明专利]高性能肖特基二极管的制造方法

摘要

本发明提供一种高性能肖特基二极管的制造方法，包括步骤：提供半导体基底，其上依次形成有重掺杂层和轻掺杂层；在轻掺杂层上淀积绝缘层，在轻掺杂层上方开出绝缘层窗口；采用清洗溶液对露出的轻掺杂层清洗；在绝缘层和轻掺杂层上淀积第一金属层；将第一金属层与轻掺杂层作合金化，在两者之间形成合金化层；去除第一金属层；在合金化层上形成上电极；其中，清洗溶液的主要成分及质量百分比如下：磷酸65～75％，乙酸5～15％，氟硼酸1～5％以及硝酸1～5％。本发明在淀积肖特基二极管的第一金属层之前，采用特定清洗溶液对轻掺杂层清洗及轻微腐蚀，消除表面残留的颗粒、玷污及界面缺陷，使金属-半导体接触结变得更好，从而使肖特基二极管获得更加高效、稳定的性能。

主权项

一种高性能肖特基二极管的制造方法，包括步骤：提供半导体基底(1)，其上依次形成有重掺杂层(2)和轻掺杂层(3)；在所述轻掺杂层(3)上淀积绝缘层(4)，采用光刻工艺刻蚀所述绝缘层(4)，在所述轻掺杂层(3)上方开出绝缘层窗口(5)，露出所述轻掺杂层(3)；采用清洗溶液对露出的所述轻掺杂层(3)进行清洗及轻微腐蚀；在所述绝缘层(4)和所述轻掺杂层(3)上淀积第一金属层(8)；采用退火工艺将所述第一金属层(8)与所述轻掺杂层(3)作合金化工艺，在所述第一金属层(8)与所述轻掺杂层(3)之间形成合金化层(9、10)；去除所述第一金属层(8)；在所述合金化层(9、10)上形成与之相接触的上电极(11、13)；其中，所述清洗溶液的主要成分及其质量百分比如下：磷酸65～75％，乙酸5～15％，氟硼酸1～5％以及硝酸1～5％。