[发明专利]离化装置及应用离化装置的镀膜装置无效
申请号: | 201110371123.2 | 申请日: | 2011-11-21 |
公开(公告)号: | CN103122450A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 黄登聪;彭立全 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种离化装置,用于蒸发镀膜装置中,用以对蒸料原子或分子进行离化,该离化装置包括主体及装设于主体上的热电子发射系统和磁场发生装置,该主体呈管状结构,内部形成腔体;该热电子发射系统包括设置于腔体内或腔体边缘的电阻丝,该电阻丝与主体之间设置有直流电压;该磁场发生装置包括设置于主体的外壁上的若干永磁体。本发明离化装置应用于蒸发镀膜装置中,其可对蒸料原子或蒸料分子进行离化,进而提高蒸料的能量和沉积速率,使用该离化装置所制得的膜层与基材结合力较强,且膜层的质量高。 | ||
搜索关键词: | 化装 应用 镀膜 装置 | ||
【主权项】:
一种离化装置,用于蒸发镀膜装置中,用以对蒸料原子或分子进行离化,其特征在于:该离化装置包括主体及装设于主体上的热电子发射系统和磁场发生装置,该主体呈管状结构,该主体包括一侧壁,侧壁围成腔体;该热电子发射系统包括设置于腔体内或腔体边缘的电阻丝,该电阻丝与主体间设置有直流电压;该磁场发生装置包括设置于侧壁外表面的若干永磁体。
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