[发明专利]离化装置及应用离化装置的镀膜装置无效

专利信息
申请号: 201110371123.2 申请日: 2011-11-21
公开(公告)号: CN103122450A 公开(公告)日: 2013-05-29
发明(设计)人: 黄登聪;彭立全 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 化装 应用 镀膜 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种离化装置及应用该离化装置的镀膜装置,尤其涉及一种用以提高蒸料离化率的离化装置。

背景技术

现有采用蒸发镀膜装置进行镀膜的方法为:在真空条件下,用电子束或热电阻丝加热的方法,将放置于坩埚之中的蒸料加热至蒸发温度,使其蒸料蒸发并沉积在基材上形成膜层。然而,在沉积成膜的过程中,蒸发的蒸料离化率不足,蒸料的能量低,沉积速率低,导致所镀膜层与基材附着力较差,容易脱膜,且膜层的密度较小,因此难以制备出品质较好的膜层。

发明内容

有鉴于此,提供一种能够有提高蒸发镀膜膜层与基材结合力的离化装置。

另外,还有必要提供一种应用上述离化装置的镀膜装置。

一种离化装置,用于蒸发镀膜装置中,用以对蒸料原子或分子进行离化,该离化装置包括主体及装设于主体上的热电子发射系统和磁场发生装置,该主体呈管状结构,该主体包括一侧壁,侧壁围成腔体;该热电子发射系统包括设置于腔体内或腔体边缘的电阻丝,该电阻丝与主体之间设置有直流电压;该磁场发生装置包括设置于侧壁上的若干永磁体。

一种应用离化装置的蒸发镀膜装置,该蒸发镀膜装置包括反应室及设置于反应室内的坩埚,该离化装置设置于坩埚上方,该离化装置包括主体及装设于主体上的热电子发射系统和磁场发生装置,该主体呈管状结构,该主体包括一侧壁,侧壁围成腔体;该热电子发射系统包括设置于腔体内或腔体边缘的电阻丝,该电阻丝与主体之间设置有直流电压;该磁场发生装置包括设置于侧壁上的若干永磁体。

本发明离化装置应用于蒸发镀膜装置中,其可对蒸料原子或蒸料分子进行离化,进而提高蒸料的能量和沉积速率,使用该离化装置所制得的膜层与基材结合力较强,且膜层的质量高。

附图说明

图1为本发明一较佳实施例的离化装置的示意图;

图2为图1中离化装置沿II-II方向的剖视示意图;

图3为本发明一较佳实施例的离化装置的俯视示意图。

图4为本发明另一较佳实施例的离化装置的俯视示意图。

主要元件符号说明

离化装置100主体10腔体11侧壁12缺口13直流电源15热电子发射系统20电阻丝21绝缘垫23第一电源25磁场发生装置30永磁体31

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

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