[发明专利]离化装置及应用离化装置的镀膜装置无效
申请号: | 201110371123.2 | 申请日: | 2011-11-21 |
公开(公告)号: | CN103122450A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 黄登聪;彭立全 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 化装 应用 镀膜 装置 | ||
1.一种离化装置,用于蒸发镀膜装置中,用以对蒸料原子或分子进行离化,其特征在于:该离化装置包括主体及装设于主体上的热电子发射系统和磁场发生装置,该主体呈管状结构,该主体包括一侧壁,侧壁围成腔体;该热电子发射系统包括设置于腔体内或腔体边缘的电阻丝,该电阻丝与主体间设置有直流电压;该磁场发生装置包括设置于侧壁外表面的若干永磁体。
2.如权利要求1所述的离化装置,其特征在于:该主体的材质为铝、不锈钢或铜,该侧壁的厚度为1-5cm。
3.如权利要求1所述的离化装置,其特征在于:该电阻丝的材质为钨或硼化镧。
4.如权利要求1所述的离化装置,其特征在于:该电阻丝连通有第一电源使电阻丝通电并发射热电子。
5.如权利要求1所述的离化装置,其特征在于:该主体的电位高于电阻丝的电位。
6.如权利要求1所述的离化装置,其特征在于:该热电子发射系统还包括二绝缘垫,该二绝缘垫穿过侧壁,且分别固接电阻丝的两端使电阻丝固定于腔体内,该绝缘垫的材质为绝缘陶瓷。
7.如权利要求1所述的离化装置,其特征在于:该侧壁开设有开设一缺口,该电阻丝固定连接于侧壁上且设置于该缺口处,且电阻丝与主体之间的连接为非导电式连接。
8.如权利要求1所述的离化装置,其特征在于:该若干永磁体中相邻的二永磁体的极性设置相反,每一永磁体的N极和S极的连线平行于主体的纵向方向。
9.如权利要求1所述的离化装置,其特征在于:该若干永磁体的数量为偶数个。
10.如权利要求1所述的离化装置,其特征在于:该离化装置还包括设置于主体的侧壁上的冷却管。
11.一种应用权利要求1-10中任意一项所述的离化装置的蒸发镀膜装置,该蒸发镀膜装置包括反应室及设置于反应室内的坩埚,该离化装置设置于坩埚上方。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司,未经鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110371123.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类