[发明专利]一种分离莠去津的磁性分子印记聚合物及其制备方法

摘要

本发明公开了一种分离莠去津的磁性分子印记聚合物的制备方法，包括：1)将Fe3O4@SiO2颗粒活化后用硅烷偶联剂进行表面修饰制得复合磁性纳米颗粒；2)将莠去津和甲基丙烯酸加入有机溶剂中预组装，然后加入所述的复合磁性纳米颗粒、交联剂和引发剂，无氧环境下，60-70℃聚合反应20-24h，除去莠去津，即得磁性分子印记聚合物；本发明的方法操作简单，耗时少，原材料廉价易得，可获得直径在微、纳米级的膜材料，适用于规模化生产。本发明还提供了一种如所述方法制备的磁性分子印记聚合物，磁性分子结合牢固，稳定性好，且分离莠去津时吸附能力较强。

主权项

一种分离莠去津的磁性分子印记聚合物的制备方法，其特征在于，包括：1)用正硅酸乙酯修饰Fe3O4制成Fe3O4@SiO2颗粒，将制成的Fe3O4@SiO2颗粒活化后用硅烷偶联剂进行表面修饰制得复合磁性纳米颗粒，所述的硅烷偶联剂为γ‑甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、r‑氨丙基三乙氧基硅烷或r‑氨丙基三甲氧基硅烷；2)将莠去津和甲基丙烯酸加入有机溶剂中预组装，然后加入所述的复合磁性纳米颗粒、交联剂和引发剂，无氧环境下，60‑70℃聚合反应20‑24h，除去莠去津，即得磁性分子印记聚合物；所述的莠去津与甲基丙烯酸的摩尔比为1∶3‑1∶5。