[发明专利]一种分离莠去津的磁性分子印记聚合物及其制备方法

权利要求书

1.一种分离莠去津的磁性分子印记聚合物的制备方法，其特征在于，包括：

1)用正硅酸乙酯修饰Fe₃O₄制成Fe₃O₄SiO₂颗粒，将制成的Fe₃O₄SiO₂颗粒活化后用硅烷偶联剂进行表面修饰制得复合磁性纳米颗粒，所述的硅烷偶联剂为γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、r-氨丙基三乙氧基硅烷或r-氨丙基三甲氧基硅烷；

2)将莠去津和甲基丙烯酸加入有机溶剂中预组装，然后加入所述的复合磁性纳米颗粒、交联剂和引发剂，无氧环境下，60-70℃聚合反应20-24h，除去莠去津，即得磁性分子印记聚合物；所述的莠去津与甲基丙烯酸的摩尔比为1∶3-1∶5。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述的硅烷偶联剂为γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述Fe₃O₄SiO₂颗粒的制备方法为：将Fe₃O₄分散于乙醇中，加入NH₃·H₂O和正硅酸乙酯，20-30℃搅拌反应20-24h，洗涤，60-65℃真空干燥即可。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述Fe₃O₄SiO₂颗粒的活化方法为：将Fe₃O₄SiO₂分散在浓度为8-10％的盐酸中，45-50℃回流6-8h，洗涤，55-60℃真空干燥即可。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1)中所述的用硅烷偶联剂进行表面修饰的方法为：将活化后的Fe₃O₄SiO₂颗粒分散于甲苯中，加入硅烷偶联剂，无氧环境下，60-65℃回流8-12h，洗涤，60-65℃真空干燥即可。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述的交联剂为二甲基丙烯酸乙二醇酯、二乙烯基苯或三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述的引发剂为偶氮二异丁腈或偶氮二异庚腈。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述的莠去津与交联剂的摩尔比为1∶8-1∶12。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中所述的复合磁性纳米颗粒与莠去津的质量摩尔比为0.15-0.3g∶0.5-1.5mmol。

10.一种如权利要求1-9任一权利要求所述的方法制备的磁性分子印记聚合物。