[发明专利]离子注入方法有效
| 申请号： | 201110369489.6 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102629553A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 田慧;龙春平;金馝奭 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种离子注入方法，涉及离子注入技术领域。该方法包括步骤：设定第一检测间隔检测离子束的分布，获取离子束电流分布的不均匀度；调节引出电压，直至离子束电流分布的不均匀度与参考不均匀度之间的差值在预设的误差范围内；以及在调整后的稳定引出电压下，对待注入基材进行离子注入。本发明的方法通过调节离子注入设备的引出电压，适时地对离子束的分布进行监测和改善，改善了因不同时间段离子束分布发生波动和变化的问题，从而可提高在对大批量基材进行离子注入过程中离子束分布的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入方法，其特征在于，该方法包括步骤：设定第一检测间隔检测离子束的分布，获取离子束电流分布的不均匀度；调节引出电压，直至离子束电流分布的不均匀度与参考不均匀度之间的差值在预设的误差范围内；以及在调整后的稳定引出电压下，对待注入基材进行离子注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
