[发明专利]集成电感器及制造集成电感器的方法有效
| 申请号： | 201110367748.1 | 申请日： | 2011-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN102479685A | 公开（公告）日： | 2012-05-30 |
| 发明（设计）人： | F.克勒纳 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L23/522;H01F17/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;蒋骏 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 提供一种将电感器集成到半导体衬底中的方法。该方法包括提供具有第一表面和第二表面的半导体衬底以及在该半导体衬底中形成至少第一沟槽和至少两个开口。第一沟槽和开口从第一表面延伸到半导体衬底且第一沟槽具有环状形状。第一沟槽的一部分布置在两个开口之间。该方法还包括将软磁材料沉积到第一沟槽中以形成环状封闭可磁化芯结构、将导电材料沉积到开口中以形成通孔且在通孔之间形成电学连接。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 电感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在半导体衬底中集成电感器的方法，包括：提供具有第一表面和第二表面的半导体衬底；在半导体衬底中形成至少第一沟槽和至少两个开口，该第一沟槽和该至少两个开口从第一表面延伸到半导体衬底中，该第一沟槽具有环状形状，该第一沟槽的一部分布置在该至少两个开口之间；将软磁材料沉积到该第一沟槽中以形成环状封闭可磁化芯结构；将导电材料沉积到该至少两个开口中以形成通孔；以及在通孔之间形成电学连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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