[发明专利]非感光性聚酰亚胺钝化层的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110366808.8 申请日: 2011-11-18
公开(公告)号: CN103123896B 公开(公告)日: 2016-11-16
发明(设计)人: 郭晓波;程晋广 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L21/312 分类号: H01L21/312;G03F7/20;G03F7/00
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 刘昌荣
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制备方法,该方法在非感光性聚酰亚胺旋涂步骤后,固化步骤前,进行以下步骤:1)在非感光性聚酰亚胺上旋涂、烘烤一层光敏性物质;2)曝光,显影,去除曝光区域的光敏性物质,不去除或部分去除非感光性聚酰亚胺,部分形成非感光性聚酰亚胺钝化层开孔;3)使用干法回刻的方法刻蚀去除非曝光区域的光敏性物质和钝化层开孔区域的非感光性聚酰亚胺。该方法通过在非感光性聚酰亚胺钝化层的制备工艺中引入干法回刻步骤,使显影液不会直接接触金属铝线,避免了金属铝线在显影过程中被显影液腐蚀,同时通过控制显影时间,可以获得不同形貌的非感光性聚酰亚胺钝化层,以满足不同产品工艺的需求。
搜索关键词: 感光性 聚酰亚胺 钝化 制备 方法
【主权项】:
非感光性聚酰亚胺钝化层的制备方法,其特征在于,在非感光性聚酰亚胺旋涂步骤后,固化步骤前,包括以下步骤:1)在非感光性聚酰亚胺上旋涂、烘烤一层光敏性物质;2)曝光,显影,去除曝光区域的光敏性物质,不去除或部分去除曝光区域的非感光性聚酰亚胺,部分形成钝化层开孔;3)使用干法回刻的方法,刻蚀去除剩余的非曝光区域的光敏性物质和钝化层开孔区域的非感光性聚酰亚胺;所述光敏性物质是对波长为436纳米的G‑Line、365纳米的I‑Line、248纳米的KrF或者193纳米的ArF光具有光敏性的正性光刻胶或负性光刻胶;所述光敏性物质的厚度与步骤2)剩余的非感光性聚酰亚胺的厚度的比值为0.9~1.1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司,未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110366808.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top