[发明专利]非感光性聚酰亚胺钝化层的制备方法有效
申请号: | 201110366808.8 | 申请日: | 2011-11-18 |
公开(公告)号: | CN103123896B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 郭晓波;程晋广 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/312 | 分类号: | H01L21/312;G03F7/20;G03F7/00 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 刘昌荣 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种非感光性聚酰亚胺钝化层的制备方法,该方法在非感光性聚酰亚胺旋涂步骤后,固化步骤前,进行以下步骤:1)在非感光性聚酰亚胺上旋涂、烘烤一层光敏性物质;2)曝光,显影,去除曝光区域的光敏性物质,不去除或部分去除非感光性聚酰亚胺,部分形成非感光性聚酰亚胺钝化层开孔;3)使用干法回刻的方法刻蚀去除非曝光区域的光敏性物质和钝化层开孔区域的非感光性聚酰亚胺。该方法通过在非感光性聚酰亚胺钝化层的制备工艺中引入干法回刻步骤,使显影液不会直接接触金属铝线,避免了金属铝线在显影过程中被显影液腐蚀,同时通过控制显影时间,可以获得不同形貌的非感光性聚酰亚胺钝化层,以满足不同产品工艺的需求。 | ||
搜索关键词: | 感光性 聚酰亚胺 钝化 制备 方法 | ||
【主权项】:
非感光性聚酰亚胺钝化层的制备方法,其特征在于,在非感光性聚酰亚胺旋涂步骤后,固化步骤前,包括以下步骤:1)在非感光性聚酰亚胺上旋涂、烘烤一层光敏性物质;2)曝光,显影,去除曝光区域的光敏性物质,不去除或部分去除曝光区域的非感光性聚酰亚胺,部分形成钝化层开孔;3)使用干法回刻的方法,刻蚀去除剩余的非曝光区域的光敏性物质和钝化层开孔区域的非感光性聚酰亚胺;所述光敏性物质是对波长为436纳米的G‑Line、365纳米的I‑Line、248纳米的KrF或者193纳米的ArF光具有光敏性的正性光刻胶或负性光刻胶;所述光敏性物质的厚度与步骤2)剩余的非感光性聚酰亚胺的厚度的比值为0.9~1.1。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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