[发明专利]一种倾斜式超大高宽比AFM探针及其制备方法有效
申请号: | 201110366696.6 | 申请日: | 2011-11-18 |
公开(公告)号: | CN102435785A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 吴东岷;李加东 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | G01Q60/38 | 分类号: | G01Q60/38;B82Y40/00 |
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地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明揭示了微纳机械传感器领域中的一种倾斜式超大高宽比AFM探针及其制备方法。该探针包括倾斜式针尖、悬臂梁及主体支撑结构,其特征在于采用顶层硅厚度等于AFM探针悬臂梁厚度的(100)型SOI硅片为制备原料;首先在SOI硅片的顶层硅上应用湿法刻蚀工艺形成AFM探针的悬臂梁,之后在位于悬臂梁顶端的(111)面上制备催化剂颗粒;然后采用化学气相沉积工艺进行硅纳米线的生长形成AFM探针的针尖,得到目标产物。本发明采用硅纳米线生长工艺形成探针的针尖,突破了当前工艺对倾斜式超大高宽比AFM探针制备的限制,真正实现了倾斜式超大高宽比AFM探针可控制备。 | ||
搜索关键词: | 一种 倾斜 超大 afm 探针 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种倾斜式超大高宽比AFM探针,其特征在于,所述探针包括倾斜式针尖、悬臂梁及主体支撑结构,所述倾斜式针尖设于悬臂梁顶端斜面上,所述悬臂梁与主体支撑结构固定连接,所述悬臂梁由(100)型SOI硅片的顶层硅形成,所述悬臂梁顶端斜面为(111)晶面,并且,所述探针的高宽比为1‑50。
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