[发明专利]密集孔局部镀厚铜工艺有效
| 申请号： | 201110355703.2 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102427671A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 辜义成;曾志军;曾红 | 申请（专利权）人： | 东莞生益电子有限公司 |
| 主分类号： | H05K3/22 | 分类号： | H05K3/22;H05K3/30 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 523000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种密集孔局部镀厚铜工艺，包括如下步骤：步骤1、提供基板，对基板进行开料、内层图形制作、棕化、层压处理及X-RAY打孔；步骤2、在基板上钻镀厚铜区域孔；步骤3、镀厚铜，其中镀厚铜区域孔的孔壁铜厚镀至75μm及以上；步骤4、贴干膜盖住镀厚铜区域孔，对基板的面铜进行减铜处理；步骤5、在基板上钻非镀厚铜区域孔；步骤6、对非镀厚铜区域孔及镀厚铜区域孔进行镀铜。本发明采用二次钻孔+二次沉铜工艺，改变传统PCB制作中的一次钻孔+沉铜工艺，通过在PCB位置设计局部镀厚铜，将元器件工作时产生的高热量，利用铜良好的导热系数，将热量有效传导散发出去，满足未来高端电子产品对局部区域要求散热性能较高的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 密集 局部 镀厚铜 工艺 | ||
【主权项】：
一种密集孔局部镀厚铜工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供基板，对基板进行开料、内层图形制作、棕化、层压处理及X‑RAY打孔；步骤2、在基板上钻镀厚铜区域孔；步骤3、镀厚铜，其中镀厚铜区域孔的孔壁铜厚镀至75μm以上；步骤4、贴干膜盖住镀厚铜区域孔，对基板的面铜进行减铜处理；步骤5、在基板上钻非镀厚铜区域孔；步骤6、对非镀厚铜区域孔及镀厚铜区域孔进行镀铜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞生益电子有限公司，未经东莞生益电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110355703.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：滚筒加料机
- 下一篇：一种适用于亚阈值区域的限幅转换电路
