[发明专利]水汽探测用激光芯片的制造方法无效
| 申请号： | 201110355379.4 | 申请日： | 2011-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN102364771A | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 于红艳;周旭亮;邵永波;王宝军;潘教青;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/22 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种水汽探测用激光芯片的制造方法，包括如下步骤：步骤1：在n型InP衬底上依次外延生长InP缓冲层、下波导层、多量子阱结构、上波导层和p-n反型层；步骤2：采用全息曝光法在p-n反型层和上波导层上制作复耦合光栅；步骤3：在复耦合型光栅上二次外延生长出第一p-InP盖层、刻蚀停止层、第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层；步骤4：在第二p-InP盖层和p-InGaAs接触层上腐蚀出脊型波导结构，并大面积淀积二氧化硅层；步骤5：刻蚀掉中间的脊型波导结构上面的二氧化硅层，形成窗口；步骤6：在脊型波导结构和窗口的表面溅射出P面电极并蒸发出N面电极。 | ||
| 搜索关键词： | 水汽 探测 激光 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种水汽探测用激光芯片的制造方法，包括如下步骤：步骤1：在n型InP衬底上依次外延生长InP缓冲层、下波导层、多量子阱结构、上波导层和p‑n反型层；步骤2：采用全息曝光法在p‑n反型层和上波导层上制作复耦合光栅；步骤3：在复耦合型光栅上二次外延生长出第一p‑InP盖层、刻蚀停止层、第二p‑InP盖层和p‑InGaAs接触层；步骤4：在第二p‑InP盖层和p‑InGaAs接触层上腐蚀出脊型波导结构，并大面积淀积二氧化硅层；步骤5：刻蚀掉中间的脊型波导结构上面的二氧化硅层，形成窗口；步骤6：在脊型波导结构和窗口的表面溅射出P面电极并蒸发出N面电极。
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