[发明专利]与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管的制造方法

摘要

本发明公开了一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管的制造方法，包括步骤：在PNP区域的N型基区的离子注入完成后，利用P型阱光刻掩膜进行硅离子注入，使PNP三极管的基区的硅表面的晶格结构被破坏。在NPN区域的N型集电区形成后，在NPN区域和PNP区域同时采用外延生长工艺形成锗硅层。本发明方法通过对PNP区域的基区的硅表面进行硅离子注入，能使PNP区域的基区的硅表面变成非晶结构，从而能使后续在PNP区域通过外延生长形成的锗硅层为多晶结构，这样就有利于在后续对PNP三极管进行发射区的离子注入时离子能够扩散到整个发射区的锗硅层中，从而能提高PNP三极管的发射区的掺杂浓度，提高器件的发射效率以及器件的放大系统，并能增加器件的截止频率。

主权项

一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管的制造方法，硅衬底分为形成NPN三极管的NPN区域和形成PNP三极管的PNP区域，在浅沟槽隔离工艺完成之后，在所述PNP区域利用P型阱光刻掩膜定义出所述PNP三极管的P型集电区的离子注入区域，利用所述P型阱光刻掩膜进行P型离子注入形成所述PNP三极管的集电区，所述PNP三极管的集电区的P型离子注入采用P型阱的离子注入工艺；之后，同样利用所述P型阱光刻掩膜进行N型离子注入形成所述PNP三极管的基区；其特征在于，还包括如下步骤：在形成所述PNP三极管的基区之后，利用所述P型阱光刻掩膜进行硅离子注入，所述硅离子注入使所述PNP三极管的基区的硅表面的晶格结构被破坏；在所述NPN区域的N型集电区形成后，在所述NPN区域和所述PNP区域同时采用外延生长工艺形成锗硅层；所述锗硅层在所述PNP区域为多晶结构，多晶硅结构的所述锗硅层用于形成所述PNP三极管的发射区；所述锗硅层在所述NPN区域为单晶结构，单晶结构的所述锗硅层用于形成所述NPN三极管的基区。