[发明专利]一种快速无损测量石墨烯薄膜厚度与能带结构的方法无效
| 申请号： | 201110351191.2 | 申请日： | 2011-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN102507875A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 周鹏;沈彦;孙清清;王鹏飞;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00;G01N21/21 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体为一种快速无损测量石墨烯薄膜厚度与能隙的方法。本发明首先利用椭圆偏振技术得到薄膜的椭偏数据；然后根据所测薄膜的结构建立合适的理论模型，对得到的椭偏数据进行分析和拟合，得到所测石墨烯薄膜的厚度与能带结构。本发明大大简化了以往超薄薄膜厚度测试的复杂性、降低了利用其它技术工艺实施的困难程度，在22纳米后大规模集成电路制造中具有重要应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 无损 测量 石墨 薄膜 厚度 能带 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种测量石墨烯薄膜厚度与能带结构的方法，其特征在于具体步骤为：（1）提供需要测量的超薄石墨烯薄膜；（2）利用椭圆偏振技术得到所述石墨烯薄膜的椭偏数据；（3）根据所述石墨烯薄膜的结构建立合适的理论模型；（4）在所建立的理论模型基础上对所得到的椭偏数据进行分析和拟合，得到所述石墨烯薄膜的厚度与能带结构。
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