[发明专利]一种单晶硅片预清洗液及其清洗方法

摘要

本发明涉及一种单晶硅片预清洗液及其清洗方法。其特征在于由下列组成物组成所述的预清洗液是由双氧水、氢氧化钠或氢氧化钾和水组成。其特征在于由下列组成物组成双氧水，氢氧化钠或氢氧化钾，水。一种利用权利要求1所述一种单晶硅片预清洗液的清洗方法，其特征在于将插入花篮中的硅片放入到混合均匀的单晶硅片预清洗液中，温度在55～80℃，用超声波清洗60～600秒，超声波清洗后，在60℃的条件下用去离子水漂洗1分钟后，去离子水漂洗后取出硅片烘干。本发明的优点是使用双氧水工艺后，碱浓度降低，产生氢气量少，不会在硅片表面生产气泡印，并且不会漂篮，不会产生明显的界限。由于降低了碱的浓度，减薄量也有效的降低，有利于降低后道工序电池片的碎片率。

主权项

一种单晶硅片预清洗液的清洗方法，其特征在于：配置清洗液：取浓度30%的双氧水4.25千克，氢氧化钠0.24千克，加入95.51千克的水中，配成100千克清洗液，混合均匀，开启制绒机的循环、鼓泡开关，5分钟后关闭鼓泡；清洗：将插入花篮中的硅片放入到清洗液中，温度在55℃，用超声波清洗60秒，超声波清洗后，在60℃的条件下用去离子水漂洗1分钟后，去离子水漂洗后取出硅片烘干。