[发明专利]一种利用紫外线照射光刻胶来缩小硅栅线宽的方法无效
| 申请号： | 201110349887.1 | 申请日： | 2011-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN102446723A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 景旭斌;杨斌;郭明升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用紫外线照射光刻胶来缩小硅栅线宽的方法，包括如下步骤，步骤一，在多晶硅上成长200~400A二氧化硅作为硬掩膜层；步骤二，涂覆光刻胶并曝光显影；步骤三，在温度为100~3000C的条件下，利用紫外线照射处理光刻胶；步骤四，干法刻蚀。利用该发明的方法照射处理光刻胶，利于做小线宽，利于提高2D图形的工艺窗口。在保证刻蚀工艺窗口，同时利于减薄光刻胶厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 紫外线 照射 光刻 缩小 硅栅线宽 方法 | ||
【主权项】：
一种利用紫外线照射光刻胶来缩小硅栅线宽的方法，其特征在于，包括如下步骤，步骤一，在多晶硅上成长200~400A二氧化硅作为硬掩膜层；步骤二，涂覆光刻胶并曝光显影；步骤三，在温度为100~3000C的条件下，利用紫外线照射处理光刻胶；步骤四，干法刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
