[发明专利]太阳能电池及太阳能电池制造方法无效
| 申请号： | 201110344801.6 | 申请日： | 2011-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN102456752A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 马蒂亚斯·霍夫曼;安德烈·斯捷科利尼科夫;罗伯特·塞甘;马克西米兰·舍夫;安德里亚斯·莫尔 | 申请（专利权）人： | Q-电池公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 德国比特费尔*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种太阳能电池，其包括半导体衬底(1)、设于所述半导体衬底(1)的远光背面表面(11)上的背面钝化层(2)、设于所述背面钝化层(2)上的覆盖层(3)、以及设于所述覆盖层(3)上的金属化层(4)，其特征在于，所述覆盖层(3)具有朝向所述背面钝化层(2)的保护层部件(31)和朝向所述金属化层(4)的触接层部件(32)，其中所述触接层部件(32)具有高于所述保护层部件(31)的折射率。此外，本发明涉及相关的太阳能电池制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池，其包括半导体衬底(1)、设于所述半导体衬底(1)的远光背面表面(11)上的背面钝化层(2)、设于所述背面钝化层(2)上的覆盖层(3)、以及设于所述覆盖层(3)上的金属化层(4)，其特征在于，所述覆盖层(3)具有朝向所述背面钝化层(2)的保护层部件(31)和至少存在于表面区域中的朝向所述金属化层(4)的触接层部件(32)，其中所述触接层部件(32)具有高于所述保护层部件(31)的折射率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
