[发明专利]太阳能电池及太阳能电池制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，其包括半导体衬底(1)、设于所述半导体衬底(1)的远光背面表面(11)上的背面钝化层(2)、设于所述背面钝化层(2)上的覆盖层(3)、以及设于所述覆盖层(3)上的金属化层(4)，其特征在于，所述覆盖层(3)具有朝向所述背面钝化层(2)的保护层部件(31)和至少存在于表面区域中的朝向所述金属化层(4)的触接层部件(32)，其中所述触接层部件(32)具有高于所述保护层部件(31)的折射率。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述覆盖层(3)由两层或更多层部分层(31、32)形成，其中所述保护层部件(31)和所述触接层部件(32)各为所述部分层(31、32)之一。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述覆盖层(3)具有从所述保护层部件(31)至所述触接层部件(32)呈上升的缓变折射率分布。

4.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述保护层部件(31)和所述触接层部件(32)各具有在所述太阳能电池的工作范围的光谱范围内约介于1.5到4.5之间的折射率。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述保护层部件(31)具有约介于1.7到2.4、或1.8到2.1、或1.85到1.95之间的折射率，而所述触接层部件(32)具有约介于1.5到4.5、或1.8到2.8、或3.5到4.5之间的折射率。

6.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述保护层部件(31)和所述触接层部件(32)由材料复合物形成，且所述保护层部件(31)和所述触接层部件(32)的折射率的区别取决于所述材料复合物中各种材料的不同的理想配比成分。

7.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述保护层部件(31)和所述触接层部件(32)的折射率的区别取决于两个部件(31、32)中不同的氢含量。

8.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述覆盖层(3)由非晶硅或微晶硅、由氮化硅及/或由氮氧化硅形成。

9.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述覆盖层(3)的所述保护层部件(31)包含氮化硅，且/或所述覆盖层(3)的所述触接层部件(32)包含非晶硅或微晶硅。

10.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述背面钝化层(2)由氧化铝、非晶硅、非晶氮化硅或非晶氧化硅形成。

11.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述背面钝化层(2)直接形成在所述半导体衬底(1)上，所述覆盖层(3)直接形成在所述背面钝化层(2)上，且/或所述金属化层(4)直接形成在所述覆盖层(3)上。

12.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述覆盖层(3)几乎盖住所述半导体衬底(1)的整个背面表面(11)。

13.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于两面接触连接。

14.根据前述权利要求中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述背面钝化层(2)和所述覆盖层(3)一起形成反射层系统，所述反射层系统用于所述太阳能电池的工作范围的光谱范围。

15.太阳能电池制造方法，包括以下步骤：

提供半导体衬底(1)；

将背面钝化层(2)涂覆到所述半导体衬底(1)的远光背面表面(11)上；

将覆盖层(3)涂覆到所述背面钝化层(2)上；及

将金属化层(4)涂覆到所述覆盖层(3)上，

其中，涂覆所述覆盖层(3)时，使保护层部件(31)朝向所述背面钝化层(2)，且使触接层部件(32)朝向所述金属化层(4)，并使所述触接层部件(32)具有高于所述保护层部件(31)的折射率。