[发明专利]掩膜成核消除方法以及选择性外延生长方法有效
| 申请号： | 201110341975.7 | 申请日： | 2011-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN102354659A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 王灼平;黄锦才 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种掩膜成核消除方法以及选择性外延生长方法。根据本发明的选择性外延生长中的掩膜成核消除方法包括：利用SiOxNy化合物作为掩膜层材料，其中SiOxNy化合物中参数x和y的选择使得SiOxNy化合物掩膜层材料中的硅含量低于SiON和氮化硅SiN中的硅含量，并且其中参数x和参数y为有理数。通过降低掩膜层材料中的硅含量可以有效地减少成核点，抑制掩膜上的成核，进而有效地控制了硅对掩膜硅化物的选择性。 | ||
| 搜索关键词： | 成核 消除 方法 以及 选择性 外延 生长 | ||
【主权项】：
一种选择性外延生长中的掩膜成核消除方法，其特征在于包括：利用SiOxNy化合物作为掩膜层材料，其中SiOxNy化合物中参数x和y的选择使得SiOxNy化合物掩膜层材料中的硅含量低于SiON和氮化硅SiN中的硅含量，并且其中参数x和参数y为有理数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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