[发明专利]能够用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构

摘要

本发明公开了一种能够用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构，包括一N型外延层，N型外延层的顶部形成有多个P型阱；各P型阱之间设有栅极；栅极的表面覆盖有层间氧化介质；所述栅极上方的层间氧化介质内设有一层金属板，该金属板与多晶硅栅之间的层间氧化介质形成电容结构；多个金属板相互连接，并通过外部链接与场效应管的漏极引出端相连。所述金属板与多晶硅栅之间的层间氧化介质的厚度小于其他区域的层间氧化介质厚度。本发明通过对现有的沟槽型绝缘栅场效应管的结构单元从栅氧化层结构上进行优化，能够达到降低场效应管开启电压，提升器件泄放电流能力的目的。

主权项

一种能够用于静电保护的沟槽型绝缘栅场效应管结构，包括一N型外延层，N型外延层的顶部形成有多个P型阱，多个P型阱之间被相互隔离；各P型阱内分别有两个N型有源区作为场效应管的源极，P型阱内的两个N型有源区通过一P型有源区隔离，两个N型有源区与P型有源区源极共同通过通孔与地端相连；N型外延层的背面有一层P型注入层作为场效应管的漏极引出端；各P型阱之间设有栅极；栅极的表面覆盖有层间氧化介质；其特征在于：所述栅极上方的层间氧化介质内设有一层金属板，该金属板与多晶硅栅之间的层间氧化介质形成电容结构；多个金属板相互连接，并通过外部链接与场效应管的漏极引出端相连。