[发明专利]一种低温多晶硅薄膜晶体管探测器及其制备方法

摘要

本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管探测器及其制备方法，所述低温多晶硅薄膜晶体管探测器利用低温多晶硅薄膜晶体管工艺制作。先利用化学气相沉淀，在玻璃基板上沉积非晶硅薄膜层，利用准分子激光煺火的方法将非晶硅薄膜转变为多晶硅薄膜，并制作多晶硅薄膜晶体管。在制作探测器时同时将一些驱动电路集成在玻璃基板上，从而获得高集成度，降低探测器的成本，同时获得更好的性能。

主权项

一种低温多晶硅薄膜晶体管探测器的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括以下步骤：1)提供一基板，在所述基板上制作非晶硅层，然后对所述非晶硅层进行煺火以形成多晶硅层，接着刻蚀所述多晶硅层，以形成间隔排列的第一导电类型晶体管衬底、第二导电类型晶体管衬底、开关晶体管衬底及裸露基板；2)在所述第一、第二导电类型晶体管衬底上制作驱动晶体管，在所述开关晶体管衬底上制作开关晶体管，在所述裸露基板的区域上制作光电二极管；3)制作钝化层，刻蚀所述钝化层以形成用以制作所述驱动晶体管、开关晶体管、以及光电二极管各电极的接触孔，然后制作金属层并将其制作出所述驱动晶体管与开关晶体管的电极、互连电极、所述开关晶体管的遮光罩、及所述光电二极管的公共电极，以完成所述探测器的制备。