[发明专利]GaN高阈值电压增强型MOSHFET器件及制备方法有效
| 申请号： | 201110339435.5 | 申请日： | 2011-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN102386223A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;沈震;张佰君 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 禹小明;林伟斌 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种GaN高阈值电压增强型MOSHFET器件，包括衬底（1）及生长于衬底（1）之上的外延层，其特征在于，外延层由下往上依次包括应力缓冲层（2）、GaN层（3）及异质结构势垒层（4），在栅极区域刻蚀异质结构势垒层（4）至GaN层（4）形成一凹槽，并在凹槽上选择生长p型GaN层（6），p型GaN层（6）及异质结构势垒层（4）表面沉积有绝缘介质层（7），在异质结构势垒层（4）表面源极及漏极区域刻蚀绝缘介质层，栅极区域蒸镀栅极金属（9），源、漏极区域上蒸镀欧姆接触金属（8）。本发明器件结构和制作工艺简单，稳定性高，可有效增大正向阈值电压同时修复等离子体处理造成的晶格损伤。 | ||
| 搜索关键词： | gan 阈值 电压 增强 moshfet 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN高阈值电压增强型MOSHFET器件，包括衬底（1）及生长于衬底（1）之上的外延层，其特征在于，外延层由下往上依次包括应力缓冲层（2）、GaN层（3）及异质结构势垒层（4），在栅极区域刻蚀异质结构势垒层（4）至GaN层（3）形成一凹槽，并在凹槽上选择生长p型GaN层（6），p型GaN层（6）及异质结构势垒层（4）表面沉积有绝缘介质层（7），在异质结构势垒层（4）表面源极及漏极区域刻蚀绝缘介质层，栅极区域蒸镀栅极金属（9），源、漏极区域上蒸镀欧姆接触金属（8）。
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