[发明专利]柔性衬底硅基多结叠层薄膜太阳电池及其制造方法

摘要

本发明涉及光伏太阳电池，公开了一种柔性衬底硅基多结叠层薄膜太阳电池，包括在金属箔或聚酯膜柔性衬底上依次沉积的背反射电极、微晶硅(μc-Si:H)或非晶硅锗(a-SiGe:H)底电池、非晶硅(a-Si:H)顶电池、透明导电薄膜、金属栅线；其中，底电池和顶电池间采用复合隧穿结进行电学连接。本发明还公开了该电池的制造方法，包括：溅射沉积背反射电极、沉积微晶硅或非晶硅锗底电池、沉积非晶硅顶电池、溅射沉积ITO、SnO2·F、ZnO:Al、ZnO:Ga等透明导电薄膜、电化学钝化、制备金属栅线等步骤。本发明提高了电池转化效率和大面积均匀性，获得高效率和高功率重量比等有益效果，同时制备工艺简单，可实现规模化生产。

主权项

一种柔性衬底硅基多结叠层薄膜太阳电池，其特征在于，该装置包括：在金属箔或聚酯膜柔性衬底上依次沉积背反射电极、微晶硅(μc‑Si:H)或非晶硅锗(a‑SiGe:H)底电池、非晶硅(a‑Si:H)顶电池、透明导电薄膜、金属栅线；所述的微晶硅(μc‑Si:H)或非晶硅锗(a‑SiGe:H)底电池和非晶硅(a‑Si:H)顶电池间采用复合隧穿结进行电学连接。