[发明专利]铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件及其光吸收层的制备方法有效
申请号: | 201110331329.2 | 申请日: | 2011-10-26 |
公开(公告)号: | CN102354711A | 公开(公告)日: | 2012-02-15 |
发明(设计)人: | 肖旭东;杨春雷;刘壮 | 申请(专利权)人: | 香港中文大学;中国科学院深圳先进技术研究院 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/032;H01L31/18 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 吴平 |
地址: | 香港特别行*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件,包括依次叠合的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层、窗口层、透明电极层和金属栅电极层,所述光吸收层的禁带宽度在厚度方向上呈中间平、两侧逐渐升高的梯形分布。这种梯形禁带结构能够在更大的光谱范围内吸收太阳光以保证光吸收层能更充分地吸收太阳能,从而可以提高光吸收率,同时梯形禁带结构产生向光吸收层两侧变化的电势差,能够同时保证短路电流和有效提高开路电压,使得铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件获得较高的光吸收率和优良的电学性质。此外,还提供两种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件的光吸收层的制备方法。 | ||
搜索关键词: | 铜铟镓硒 薄膜 太阳能电池 组件 及其 光吸收 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件,包括依次叠合的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层、窗口层、透明电极层和金属栅电极层,其特征在于,所述光吸收层的禁带宽度在厚度方向上呈中间平、两侧逐渐升高的梯形分布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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