[发明专利]用于便携电子装置和数据处理中心的半导体器件以及形成低压MOSFET的方法无效
| 申请号： | 201110324003.7 | 申请日： | 2011-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN102386101A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | P·M·希;S·J·安德森 | 申请（专利权）人： | 长城半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H02M3/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐小会;王忠忠 |
| 地址： | 美国阿*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体器件具有形成在衬底之内的阱区域。在衬底表面上形成栅极结构。在衬底之内邻近栅极结构形成源极区域。在衬底之内邻近栅极结构形成漏极区域。在源极区域和漏极区域之下形成第一箝位区域和第二箝位区域。穿过源极区域形成沟槽。沟槽允许源极区域的宽度降低至0.94至1.19微米。穿过沟槽形成插塞。穿过沟槽在插塞上形成源极带。在源极区域、漏极区域和栅极结构之上形成互连结构。半导体器件可以用于电源中以便为诸如便携电子装置和数据处理中心的电子设备提供低压。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 便携 电子 装置 数据处理 中心 半导体器件 以及 形成 低压 mosfet 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底；在衬底之内形成阱区域；在衬底表面上形成栅极结构；在衬底之内邻近栅极结构形成源极区域；在衬底之内邻近栅极结构相对源极区域形成漏极区域；分别在源极区域和漏极区域之下形成第一箝位区域和第二箝位区域；形成穿过源极区域的沟槽；形成穿过沟槽进入阱区域的插塞；形成穿过沟槽在插塞上的源极带；以及在源极区域、漏极区域和栅极结构之上形成互连结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
