[发明专利]一种减少BBO晶体中心包络的熔盐生长法无效
申请号: | 201110323505.8 | 申请日: | 2011-10-23 |
公开(公告)号: | CN102383182A | 公开(公告)日: | 2012-03-21 |
发明(设计)人: | 王昌运;陈伟;吴少凡 | 申请(专利权)人: | 福建福晶科技股份有限公司 |
主分类号: | C30B9/12 | 分类号: | C30B9/12;C30B29/10 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 350002 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 暂无信息 | 说明书: | 暂无信息 |
摘要: | 一种减少BBO晶体中心包络的熔盐生长法,采用碳酸钡和硼酸为主要原料,氟化钠为助熔剂,采用旋转式熔盐生长炉,所述旋转式熔盐生长炉的炉丝非均匀分布,通过旋转加热得到不对称温场,加强熔体对流,解决BBO晶体中心包络问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 减少 bbo 晶体 中心 包络 生长 | ||
【主权项】:
一种减少BBO晶体中心包络的熔盐生长法,采用碳酸钡和硼酸为原料,氟化钠为助熔剂,使用旋转式熔盐炉加热,其特征在于:所述旋转式熔盐炉的炉丝非均匀分布。
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