[发明专利]一种用于硫系相变材料的化学机械抛光方法及抛光液有效
| 申请号： | 201110320251.4 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102441819A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 张楷亮;张涛峰;王芳;赵金石;曲长庆 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;C09G1/02 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300384 天津市南*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 一种用于硫系相变材料的化学机械抛光方法，步骤为：1）先对硫系相变材料粗抛，以快速去除镶嵌结构中通孔之外大量多余的硫系化合物；2）然后对粗抛后的硫系相变材料继续进行超精细抛光，以将剩余的通孔之外的硫系化合物去除并露出最终的通孔阵列结构；该抛光方法的抛光液，包括用于粗抛的抛光液A和用于超精细抛光的抛光液B，由纳米研磨料、pH调节剂、表面活性剂、消泡剂、杀菌剂、助清洗剂和溶剂混合组成。本发明的优点：抛光效率高、抛光后表面平整无划痕、工艺简单易行、能够很好的防止过抛，从而提高了基于镶嵌结构制造的相变存储器性能的稳定性和产品的优良率，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 相变 材料 化学 机械抛光 方法 抛光 | ||
【主权项】：
一种用于硫系相变材料的化学机械抛光方法，其特征在于步骤如下：1）先对硫系相变材料粗抛，以快速去除镶嵌结构中通孔之外大量多余的硫系化合物；2）然后对粗抛后的硫系相变材料继续进行超精细抛光，以将剩余的通孔之外的硫系化合物去除并露出最终的通孔阵列结构。
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