[发明专利]光学元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110317164.3 申请日: 2008-06-09
公开(公告)号: CN102360092A 公开(公告)日: 2012-02-22
发明(设计)人: 酒井修;古山义幸 申请(专利权)人: 阿尔卑斯电气株式会社
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18;G03F7/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 杨谦;胡建新
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的尤其在于提供一种光学元件,能够对阶梯差为1.5μm以上且侧面形成为倾斜面的深槽结构提高反射防止效果。在第一成形体(2)形成有由凸部(6)和凹部(7)形成的衍射图案(5)。上述凸部(6)和凹部(7)之间的阶梯差(H1)为1.5μm以上。在凸部上表面(6a)和凹部底面(7a)之间的至少接近上述底面(7a)的部分,设置有用于提高分型性的倾斜面(10),所以能够高精度地形成1.5μm以上的深槽的衍射图案,并且在凸部上表面(6a)、凹部底面(7a)以及上述倾斜面(10)形成有微小的凹凸形状的反射防止结构(8),所以能够进一步适当地提高反射防止效果,从而能够适当地提高作为衍射光栅的性能。
搜索关键词: 光学 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种光学元件的制造方法,其特征在于,包括:(f)在基板表面形成突出为曲面状的凸部,此时形成为从上述凸部的底部至上述凸部的顶点的高度为50μm以上且曲率半径小于10mm的工序;(g)在上述曲面状的凸部表面上蒸镀抗蚀剂的工序;(h)沿着上述凸部表面的曲面形状驱动进行电子束曝光时的电子枪进行曝光,在上述抗蚀剂上形成由微小凹凸形状构成的反射防止结构的图案的工序;(i)对没有被上述抗蚀剂覆盖的上述凸部表面进行蚀刻,在上述凸部表面上形成上述反射防止结构的工序;以及(j)除去上述抗蚀剂的工序;在上述(h)工序时,将对形成在上述凸部表面的底部侧的抗蚀剂进行曝光的曝光宽度设定为比对形成在上述凸部表面的顶点侧的抗蚀剂进行曝光的曝光宽度窄。
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